供应 场效应管 SSM3K102TU KK2 SSM3K104TU KK4

SSM3K104TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,3A,0.056Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:

 * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用
 * igh-Speed Switching Applications/高速开关应用

特点：
 * 1.8 V驱动器
 * 低导通电阻: Ron = 110 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
             : Ron = 74 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
             : Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

产品型号:SSM3K104TU

封装:SOT-416

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGSS(V):±12

最大漏极电流Id(A):3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.8

输入电容Ciss(PF):320 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K104TU,20V,3A,0.056Ω,N-沟道增强型场效应晶体管

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