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产品属性
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产品型号:TK12A60U
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.4
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):1700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 BSC070N10NS3G,070N10NS,BSC070N10
供应场效应管 RFP50N06,PFP50N06,STP50N06
供应 场效应管 AO6800L , AO6800 ,H01D
供应 N+P场效应管 AOD609 AOD606 D609 D606
供应 场效应管 AP83T03GH-HF,83T03GH,AP83T03GH
供应 场效应管 AO6702L,AO6702,BSL202SN,AO6408
供应 场效应管 AO4405 , AO4403 ,4405,4403
供应 场效应管 CEP12N6,CEP04N6,SMK1260F
供应 场效应管 2SK4070 K4070
供应 场效应管 AOD417 , AOD405 ,D417,D405