供应 场效应管 2SK4070 K4070

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金城微零件有限公司

VIP会员18年

全部产品 进入商铺

2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
 * 开关

特点:
 * 低栅极电荷:QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
 * 门额定电压:±30 V
 * 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A)
 * 雪崩能力评级

产品型号:2SK4070

封装:TO-251

品牌:NEC

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):22

输入电容Ciss(PF):110 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):0.4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4

导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.

上升时间Tr(ns):6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.

下降时间Tf(ns):18 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管


(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

 

 

型号/规格

2SK4070

品牌/商标

NEC

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

4200/盒