供应 场效应管 AP83T02GH-HF,AP83T02GH,83T02GH

产品型号:AP83T02GH-HF

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):1115 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：55

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.

上升时间Tr(ns):84 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.

下降时间Tf(ns):18 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

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