供应 场效应管 SSM6J213FE SSM6J212FE

SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω
SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护

产品型号:SSM6J213FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 1.8V驱动器
 * 低导通电阻：RDS(ON) = 250 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             ：RDS(ON) = 178 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：RDS(ON) = 133 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             ：RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-2.6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):290 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：5.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):46.2 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J205FE,-20V,-2.6A P-沟道增强型场效应晶体管

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