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产品属性
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产品型号:BSC042N03S G
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):280
最大漏极电流Id(A):95
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):62.5
极间电容Ciss(PF):2750 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):98
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,95A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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BSC042N03SG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,95A
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 FX20ASJ-06
供应 场效应管 2SK2876,2SK2876-01MR,K2876
供应 场效应管 STP80NF55-06 STP80NF55
供应 场效应管 SSM6L39TU SSM6L12TU SSM6L11TU
供应 场效应管 BSC046N02KSG,046N02KS,BSC046N02
供应 场效应管 CEK01N6
供应 场效应管 CMU30N06L,CMU30N06,CMU50N06L
供应 场效应管 STP27N3LH5,27N3LH5
供应 场效应管 BSC883N03MSG,883N03MS,BSC883N03
供应 场效应管 SI2308DS,SI2310,Si2308