供应 场效应管 BSC042N03S G,042N03S,BSC042N03SG

地区:广东 深圳
认证:

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产品型号:BSC042N03S G

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):280

最大漏极电流Id(A):95

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):62.5

极间电容Ciss(PF):2750 TYP

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s):98

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,95A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET


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型号/规格

BSC042N03SG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,95A

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘