供应 场效应管 CEK01N6

产品型号:CEK01N6

封装:TO-92

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):0.3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):3.1

极间电容Ciss(PF):140

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:650,0.3A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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