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产品属性
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产品型号:FX20ASJ-06
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.097 @VGS =10V
开启电压VGS(TH)(V):-2.3
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):2370
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):10.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) 50ns
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,-20A Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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FX20ASJ-06
RENESAS(瑞萨)
SOT-252
普通型
贴片式
2500/盘
小功率
供应 场效应管 IRFS830A,IRFS830B,IRFS830
供应 场效应管 2SK4070 K4070
供应 场效应管 BSZ067N06LS3G,067N06L
供应场效应管W342 FW342-T-TL-H
供应 场效应管 FQP9N50,FDP7N50,FQP10N50CF,9N50
代理KIA MOS管,KIA12N60HF,KIA12N60,12N60
供应 场效应管 AP01L60J,AP01L60GJ,01L60J,01L60GJ
供应 场效应管TK10A60W K10A60W
供应 场效应 KIA13N50HF ,KIA13N50 ,13N50
供应 场效应管 TK8A25DA,K8A25DA,TK8A25