供应 场效应管 HAT2285WP,HAT2285,HAT2093R

地区:广东 深圳
认证:

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产品型号:HAT2285WP
特点
?低导通电阻
?可4.5 V门极驱动
?高密度安装
?内置的肖特基势垒二极管

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30/30

夹断电压VGS(V):±20/±12

最大漏极电流Id(A):14/22

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.024 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):8/15

输入电容Ciss(PF):630 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):18

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):40

导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.

上升时间Tr(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.

下降时间Tf(ns):3.6 typ.

温度(℃): –55 to +150/–55 to +150

描述:30V 14A/30V 22A N-沟道增强型场效应晶体管


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型号/规格

HAT2285WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,双N,30V/30V,14A/22A,0.024Ω

品牌/商标

RENESAS(瑞萨)

封装形式

QFN-8 5*6/WPAK

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

2500/盘