供应 600V场效应管 , AOT10N60 ,10N60

产品型号:AOT10N60
概述
AOT10N60和AOTF10N60采用了先进的高电压MOSFET制造过程，目的是在热门的AC-DC应用提供

高水平的性能和稳健性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss随着雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新

的和现有的离线电源设计

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):10

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):208

输入电容Ciss(PF):1320 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：15

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580

导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.

上升时间Tr(ns):66 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):76 typ.

下降时间Tf(ns):64 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管