图文详情
产品属性
相关推荐
产品型号:CEF13N5
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):13
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.48 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):60
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:500V,13A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
ZDX130N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,13A,0.52Ω
10V驱动N沟道MOSFET
特点:
1)低导通电阻。
2)高速开关。
3)保证±30V的栅源电压VGSS。
4)高的封装功率。
应用:
1)开关
2)UPS电源
3)镇流器
4)太阳能、LED照明电源
5)HID/逆变器
品牌:ROHM
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也
称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、
功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶
体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点
与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(Ω)很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
CEF13N5
CET/华瑞
TO-220F
无铅环保型
直插式
1K/盒
供应 场效应管 STK0850F,STK0850,ST830F,STK830
供应 600V场效应管 CMD1N60,KIA1N60HD,1N60
供应 场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03
供应 场效应管 CEP840G , CEP840
供应 场效应管 SSM6J501NU SSM6J503NU SSM6J505NU
供应 场效应管 BSC031N06NS3G,031N06NS,BSC031N06
供应 场效应管 CMU06N03,CMU04N03L,CMU1653
供应 场效应管TK10A60W K10A60W
供应 场效应管 PHD98N03LT PHD98N03
供应 场效应管 STP27N3LH5,27N3LH5