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产品属性
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产品型号:BSC120N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):10
最大漏极电流Id(A):39
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):28
极间电容Ciss(PF):920 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):50
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,39A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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BSC120N03LS G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N,30V,39A
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 500V COOLMOS IPP50R520CP 5R520P
供应 500V场效应管 FDPF5N50T 5N50
供应 场效应管 FCPF13N60NT,FCPF13N60
供应 场效应管 FQPF7N60,SSS7N60,SSS7N60A,SSS7N60B
供应 场效应管 TK80A08K3 K80A08K3
供应 场效应管 SM6002NSFC-TUG,SM6002N
供应 场效应管 TK8A55DA,K8A55DA,TK8A55
供应 场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS1N60
供应 场效应管 SSM3K116TU KK9 SSM3K119TU KKA
供应 场效应管 STP27N3LH5,27N3LH5