场效应管 IRF654B,IRF654B,IRF654,IRF644

产品型号:IRF654B

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.14

最大漏极电流Id(on)(A):21

功率PD(W):156

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150

描述:250V,21A 功率MOSFET

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型号/规格

IRF654B,MOS,220,250V,21A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 IRF654B,IRF654B,IRF654,IRF644