CSD17310 CSD17310Q5A CSD17307 CSD17307Q5A

产品型号:CSD17307

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0084

最大漏极电流Id(on)(A):73

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):P-TDSON-8 4/-55 ~150

描述:30 V, 73A 功率MOSFET

产品型号:CSD17310

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0039

最大漏极电流Id(on)(A):100

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):P-TDSON-8 4/-55 ~150

描述:30 V, 100A 功率MOSFET

型号/规格

CSD17307 TI/德州 P-TDSON-8 10NPB SMD/MOS N场 30 73 8.4mΩ

品牌/商标

TI

封装形式

P-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

供应 CSD17310 CSD17310Q5A CSD17307 CSD17307Q5A