场效应管 CEU630N

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU630N

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):7.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.36

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):54

极间电容Ciss(PF):930

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150

描述:200V, 7.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

型号/规格

CEU630N,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω

品牌/商标

CET/华瑞

封装形式

SOT-252

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

2500/盘

供应 场效应管 CEU630N