供应 场效应管 CED01N6,CED02N65D,CED02N65

产品型号:CED01N6

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):0.9

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS =10V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):31

极间电容Ciss(PF):160

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,0.9A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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