供应 场效应管 AP2763I-A,AP2763I,2763I

产品型号:AP2763I-A

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):750

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.45 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):50

极间电容Ciss(PF):1880 TYP.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32

温度(℃): -55 ~150

描述:750V,8A N Channel POWER MOSFET

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