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产品属性
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产品型号:2SK3688-01S
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):16
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):270
输入电容Ciss(PF):1590 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7
导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管
2SK3688-01S,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,16A,0.57Ω
FUJITSU(富士通)
SOT-263
无铅环保型
贴片式
1000/盘
供应 场效应管 SSM3J130TU JJC
供应 场效应管 HUF76132S3ST,HUF76132,76132S
供应 场效应管 CMD12N10,CMD1001,SNOW001,SNOW002
供应 场效应管 AP2763I-A,AP2763I,2763I
供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI
供应 场效应管 ISL9N303AS3ST,ISL9N303,N303AS
供应 场效应管 FDP047AN08AO,HUF75545P3,75545P
供应 场效应管 PHP98N03,PHP98N03LT
供应 场效应管 IRFS654B,IRFS654A,IRFS654
供应 场效应管 IRF510,IRF510PBF,IRF510A