供应 场效应管 FQPF19N20C,FQPF19N20

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.

产品型号:FQPF19N20C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):19

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.17

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):43

极间电容Ciss(PF):1080

低频跨导gFS(s)：10.8

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F  /-55 ~150

描述:200V,19A N-Channel 功率MOSFET

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