供应 场效应管 TK12A50D,K12A50D,TK12A50DR

产品型号:TK12A50D

封装:TO-220F

标记:K12A50D

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1350 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364

导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)