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产品属性
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产品型号:TK18A50D
封装:TO-220F
标记:K18A50D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):18
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):533
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
上升时间Tr(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):25 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,18A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
TK18A50D
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 600V COOLMOS SPA20N60CFD
供应 500V场效应管 FDPF5N50T 5N50
供应 场效应管 CEP63A3 ,63A3
供应 场效应管 CMD06N02N,CMU06N02N
供应 场效应管 AO3413,AO3419,3413,3419
供应 场效应管 SSS4N60AS,SSS4N60B,SSS4N60
供应 场效应管 TK4A60D,TK4A60,TK4A60DA
供应 场效应管 CMP70N06,CMP50N06L,CMP30N06,70N06
供应 场效应管 IRF640NPBF,IRF640N,LVP640
供应 场效应管 FQP10N60,FQP10N60C,FDP10N60,10N60