场效应管 SSS4N60AS,SSS4N60B,SSS4N60

产品型号:SSS4N60B

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.5

最大漏极电流Id(on)(A):4

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150

描述:600V,4A 功率MOSFET

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型号/规格

SSS4N60B,MOS,220F,600V,4A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220F

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 SSS4N60AS,SSS4N60B,SSS4N60