场效应管 AO7801,1HF,FDG6318P,FDG6318

产品型号:AO7801

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.52

最大漏极电流Id(on)(A):-0.6

通道极性:双P沟道

封装/温度(℃):SOT-323-6/-55 ~150

描述:-20V -0.6A功率MOSFET

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产品型号:FDG6318G

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.78

最大漏极电流Id(on)(A):-0.5A

通道极性:双P沟道

封装/温度(℃):SOT-323-6/-55 ~150

描述:-20V -0.5A功率MOSFET

型号/规格

AO7801,AO,MOS,SOT-323-6,双P,-20V,-0.6A

品牌/商标

AO

封装形式

SOT-323-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

供应 场效应管 AO7801,1HF,FDG6318P,FDG6318