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产品属性
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产品型号:AP40T03GJ
特点
* 简单的驱动要求
* 低栅极电荷
* 快速切换
* 符合RoHS
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±25
最大漏极电流Id(A):28
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.25
输入电容Ciss(PF):655 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):62 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):4.4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管
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AP40T03GJ,TO-251,DIP/MOS,N场,30V,28A,0.025Ω
AP/富鼎
TO-251
无铅环保型
直插式
500/包
供应 场效应管 TPCC8103 TPCC8104
供应 场效应管 TK13A60D,K13A60D,TK13A60DR
供应 场效应管 FQPF7N50,FDPF7N50,MDF7N50,7N50
供应 场效应管 RJK0346DPA,RJK0364DPA,HAT2200WP
供应 场效应管 2SK3467 2SK3467-ZK K3467
供应 场效应管 FQP8N60,FQP8N60C,FDP8N60,8N60
供应 场效应管APM2558NU APM2556NU
供应 场效应管 AOTF404,AOTF4126,AOTF454L
供应 场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03
供应场效应管,IRF830,IRF830B,IRF830PBF