供应 场效应管APM2558NU APM2556NU

 Features

· 25V/60A,
RDS(ON)=4.5mW (Typ.)@VGS=10V
RDS(ON)=7.5mW (Typ.) @VGS=4.5V
· Super HighDense CellDesign
· Reliable and Rugged
· AvalancheRated
· Lead Free andGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

Applications:

· Power Management in Desktop Computer or
DC/DC Converters

产品型号:APM2558NU

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):50

极间电容Ciss(PF):2800

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:25V,60A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

产品型号:APM2556NU

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):50

极间电容Ciss(PF):2900

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:25V,60A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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