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SPW20N60S5

地区：上海 上海市
认证： 无

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 Cool MOS™ Power Transistor

•VDS=600V

•ID=20A

•工作温度范围：-55 ~ 150°C

•功率耗散：208W

•开启延迟时间：120ns

•关断延迟时间：130ns

•导通电阻：RDS(on)=0.19Ω

•封装形式：TO-247

•耗散功率：Ptot=208W

 

 

 

 

品牌/型号

infineon英飞凌）/SPW20N60S5

种类

绝缘栅MOSFET

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型