产品详情

威世原装MOS——IRFBG30PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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功率MOS：1000V,3.1A

 

•无铅封装

•封装形式：TO-220

•导通电阻RDS(ON)=5.0Ω

•耗散功率（MAX):125W

•工作温度范围：-55 ~ 150°C

•开启延迟时间：12ns

•关断延迟时间：89ns

 

品牌/型号

VISHAY/IRFBG30PBF

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

1000（V）

跨导

2100（μS）

极间电容

980（pF）

耗散功率

125000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型