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产品属性
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Dual Enhancement N-P Channel Trench MOSFET
应用:用于变极器,通用
•封装形式:TO-252-4
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:5.9ns
•关断延迟时间:16.5ns
导通电阻:
N-Channel P-Channel
RDS(ON) RDS(ON)
<27m? @ VGS = 10V <43m? @ VGS = -10V
<35m? @ VGS = 4.5V <58m? @ VGS = -4.5V
"
MagnaChip(美格纳半导体)
MDD9754RH
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
20000(μS)
440(pF)
15600(mW)