产品详情

供应IR原装功率MOS——IRFI540NPBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式：TO-220FULLPAK

•导通电阻：RDS(ON)=52mΩ

•栅极电荷量：QGD=43nC

• 反向恢复时间：Trr=250nS

•漏极电流：ID=20A   @ TC=25°C

•漏源电压：VDSS=100V

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFI540NPBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

4（V）

跨导

11000（μS）

极间电容

1400（pF）

漏极电流

20000（mA）

耗散功率

54000（mW）