供应 美格拉(纳)MOS—MDP5N50TH 原装

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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适用于:开关电源,镇流器,PFC

•导通电阻:R≤1.4Ω

•ID=5.0A    VDS=500V

•耗散功率:93W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•开启延迟时间:12ns

•关断延迟时间:24ns

 

品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDP5N50TH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

500(V)

跨导

5000(μS)

极间电容

500(pF)

漏极电流

5000(mA)

耗散功率

93000(mW)