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供应 ON安森美MOS—NTP6413AN 原装

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•VDS=100V

•ID=42A

•RDS(ON)=0.028Ω

•耗散功率:PD=136W   @TC=25°C

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

 

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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTP6413AN

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4（V）

跨导

17900（μS）

极间电容

1800（pF）

漏极电流

42000（mA）

耗散功率

136000（mW）