供应仙童原装FCP4N60

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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 600V N-Channel MOSFET

•封装类型:TO-220

•开启延迟时间:16ns

•关断延迟时间:36ns

•耗散功率:50W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•开态电阻RDS(on):1.0Ω

 

SuperFETTM这种先进的技术已被定制,以尽量减少传导损耗提供出色的开关性能,经受住极端的dv/dt的速度和更高的雪崩能量。因此非常适合的SuperFET各种AC/ DC交换系统小型化效率的运作模式功率转换

品牌/商标

FAIRCHILD/仙童

型号/规格

FCP4N60

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

材料

MES金属半导体

跨导

3200(μS)

极间电容

415(pF)

漏极电流

3900(mA)

耗散功率

50000(mW)