产品详情

供应 ST功率MOS—VND14NV04-E 原装 40V 12A

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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适用于：电桥驱动器 - 内部开关

 

40V,12A,35mΩ fully autoprotected Power MOSFET

封装形式：TO-252

耗散功率：74W

储存温度范围：-55 ~ 150°

 

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

VND14NV04-E

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5（V）

跨导

18000（μS）

极间电容

400（pF）

漏极电流

12000（mA）

耗散功率

74000（mW）