产品详情

供应安森美功率MOS管——NTD5865NT4G

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

 N−Channel  38Amps 60 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装：DPAK(TO-252)

 •工作温度范围：-55 to 150°C

 •开启延迟时间：10ns

 •关断延迟时间：20ns

 •导通电阻: R=18mΩ @10V

 •耗散功率： PD=52W

 

 
品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTD5865NT4G

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4（V）

跨导

6900（μS）

极间电容

1261（pF）

漏极电流

38000（mA）

耗散功率

52000（mW）