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供应 ON安森美MOS——NTB6410AN 原装

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•VDS=100V

•ID=76A

•RDS(ON)=0.013Ω

•耗散功率:PD=188W   @TC=25°C

•储存温度范围：-55 ~ 175°C

 

 

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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTB6410AN

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4（V）

夹断电压

20（V）

跨导

40000（μS）

极间电容

4500（pF）

漏极电流

76000（mA）

耗散功率

188000（mW）