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供应美格拉MOS管——MDF9N60TH

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.75Ω

 •封装类型：TO-220F  

 •VDS=600V

 •VDS= 660V @ Tjmax

 •ID= 9.0A @ VGS = 10V

 •RDS(ON)≤ 0.75Ω @ VGS = 10V

 •耗散功率：48W

 •工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

 

品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDF9N60TH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5（V）

跨导

7000（μS）

极间电容

1160（pF）

漏极电流

9000（mA）

耗散功率

48000（mW）