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IR 原装功率MOS——IRFP140N

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) max=52mΩ

 •工作温度范围：-55 ~ 175°C

 •封装形式：TO-247AC

 •VDS=100V

 •ID=33A

 •Trr=250ns

 

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRFP140N

种类

结型JFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

4（V）

跨导

11000（μS）

极间电容

1400（pF）

漏极电流

33000（mA）

耗散功率

140000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型