产品详情

供应 ON安森美MOS—2N7002E 原装

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•VDS=60V

•ID=0.31A

•RDS(ON)<3Ω

•耗散功率:PD=0.3W   @TC=25°C

•工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

 

品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

2N7002E

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5（V）

跨导

530（μS）

极间电容

40（pF）

漏极电流

310（mA）

耗散功率

300（mW）