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IR原装功率MOS——IRL530NLPBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式：TO-262

•导通电阻：RDS(ON)=100mΩ

•栅极电荷量：QGD=20nC

• 反向恢复时间：Trr=210nS

•漏极电流：ID=17A   @ TC=25°C

•漏源电压：VDSS=100V

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRL530NLPBF

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

2（V）

跨导

7700（μS）

极间电容

800（pF）

漏极电流

17000（mA）

耗散功率

79000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型