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供应安森美MOS——NTD18N06L

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•VDS=60V

•ID=18A

•RDS(ON)=0.054Ω

•封装形式：DPAK

•耗散功率:PD=55W   @TC=25°C

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

 

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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTD18N06L

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3.5（V）

跨导

13.5（μS）

极间电容

675（pF）

漏极电流

18000（mA）

耗散功率

55000（mW）