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供应IR原装功率MOS——IRF7815PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式：SO-8

•导通电阻：RDS(ON)=43mΩ

•栅极电荷量：QGD=7.4nC

• 反向恢复时间：Trr=62nS

•漏极电流：ID=5.1A   @ TA=25°C

•漏源电压：VDSS=150V

•工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF7815PBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

5（V）

夹断电压

150（V）

跨导

8200（μS）

极间电容

1647（pF）

漏极电流

5100（mA）

耗散功率

2500（mW）