STP21NM50N

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 N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•最大结温:150°C

•总功率损耗:140W

•开启延迟时间:22ns

•封装形式:TO-220

•最大耗散功率:Ptot=140W

 

 

品牌/型号

ST意法半导体/STP21NM50N

种类

绝缘栅MOSFET

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型