上海贝臣电子有限公司
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N-channel 500V - 0.15Ω - 18A Second generation MDmesh™ Power MOSFET
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•最大结温:150°C
•总功率损耗:140W
•开启延迟时间:22ns
•封装形式:TO-220
•最大耗散功率:Ptot=140W
ST意法半导体/STP21NM50N
绝缘栅MOSFET
N沟道
增强型
供应安森美功率MOS——NTD3055L104
长期供应ST原装MOS——STF15NM65N
供应安森美MOS——MMBF170L
供应 美格拉(纳)MOS—MDP15N60GTH 原装
SPP20N60S5—— Power Transistor
美格拉原装MOS——MDI3N40TH
供应仙童原装FCP4N60
供应 美格拉(纳)MOS—MDP9N50TH 原装
供应仙童原装MOS——FQA9N90C
供应IR原装MOS ——IRFB23N20D
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