产品详情

SPP20N60S5—— Power Transistor

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•工作温度范围：-55 to 150°C

•开启延迟时间：120ns

•关断延迟时间：140ns

•无铅包装

•封装类型：TO-220

•开态电阻RDS(on)：0.19Ω

•器件标号：20N60S5

•功率损耗：208W

 

  

 

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPP20N60S5

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

材料

MES金属半导体

夹断电压

700（V）

跨导

12000（μS）

极间电容

3000（pF）

漏极电流

20000（mA）

耗散功率

208000（mW）