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供应安森美功率MOS——NTD3055L104

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•VDS=60V

•ID=-12A

•RDS(ON)=0.104Ω

•封装形式：DPAK

•耗散功率:PD=48W   @TC=25°C

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

 

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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTD3055L104

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

跨导

9100（μS）

极间电容

440（pF）

漏极电流

12000（mA）

耗散功率

48000（mW）