产品详情

供应IR原装MOS——IRFB4019PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式：TO-220AB

•导通电阻：RDS(ON)=95mΩ

•栅极电荷量：QGD=4.1nC

• 反向恢复时间：Trr=96nS

•漏极电流：ID=17A   @ TA=25°C

•漏源电压：VDSS=150V

•工作温度范围：-55 ~ 175°C

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB4019PBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5（V）

夹断电压

150（V）

跨导

14000（μS）

极间电容

800（pF）

漏极电流

17000（mA）

耗散功率

80000（mW）