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IR 原装音频MOS——IRFS5615PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) max=42mΩ

 •工作温度范围：-55 ~ 175°C

 •封装形式：TO-252

 •VDS=150V

 •ID=33A

 •Trr=120ns

 

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRFS5615PBF

种类

结型JFET

用途

NF/音频低频

封装外形

SMDSO/表面封装

开启电压

5（V）

夹断电压

20（V）

跨导

35000（μS）

极间电容

1750（pF）

漏极电流

33000（mA）

耗散功率

144000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型