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供应ST功率MOS管——STP20NM60

地区：上海 上海市
认证： 无

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 N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET

•器件标识：P20NM60

•封装类型：TO-220

•功率损耗：192W

•工作温度范围：-65 ~ 150°C

•开启延迟时间：25ns

•关断延迟时间：42ns

 

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP20NM60

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

600V（V）

跨导

11000（μS）

极间电容

1500（pF）

漏极电流

20000（mA）

耗散功率

192000（mW）