产品详情

美格拉MOS管——MDD6N60GRH

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •封装类型：TO-252

 •VDS=600V

 •ID= 4.5A @ VGS = 10V

 •RDS(ON)≤ 1.45Ω @ VGS = 10V

 •耗散功率：73W

 •工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

 

品牌/型号

MagnaChip美格纳半导体/MDD6N60GRH

种类

绝缘栅MOSFET

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMDSO/表面封装

开启电压

5（V）

夹断电压

30（V）

跨导

5000（μS）

极间电容

865（pF）

漏极电流

4500（mA）

耗散功率

73000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型