产品详情

IR原装MOS ——IRFB4020PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) = 0.1Ω

 •封装形式：TO-220AB

 •VDS=200V

 •ID=18A   @TC=25°C

 •PD=100W    @TC=25°

 •工作温度范围: -55 ~ 175°C

 

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRFB4020PBF

种类

绝缘栅MOSFET

用途

NF/音频低频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5（V）

跨导

24000（μS）

极间电容

1200（pF）

漏极电流

18000（mA）

耗散功率

100000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型