产品详情

IR原装MOS ——IRF630N

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) = 0.3Ω

 •封装形式：TO-220AB

 •VDS=200V

 •ID=9.3A   @TC=25°C

 •PD=82W    @TC=25°

 •工作温度范围: -55 ~ 175°C

 

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRF630N

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

4（V）

夹断电压

20（V）

跨导

4900（μS）

极间电容

575（pF）

漏极电流

9300（mA）

耗散功率

82000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型